| 发布日期：2024-08-30 22:51 点击次数：61 |
（原标题：400层NAND，将要来了）
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来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自wccftech，谢谢。
SK Hynix 的目标是在 2025 年底开始量产 400 层 NAND，而 321 层 NAND 则将于 2025 年上半年投入生产。
对更高存储容量的需求永无止境，SK Hynix 似乎正致力于通过其新计划打破纪录，为未来的存储驱动器准备 400 层 NAND。Etnews报道称，该公司希望在 2025 年底前开始批量生产这种 400 层 NAND，并希望在 2026 年上半年过渡到全面生产。
然而，创建这种高层 NAND 的过程非常复杂，需要多种键合技术。SK Hynix 已经开始审查用于键合的新材料，并研究各种技术，这些技术可以通过抛光、蚀刻、沉积和布线等方法连接不同的晶圆。
整个过程需要几个步骤，例如电池结构设计（侧重于每层电池的排列）和堆叠。然后通过清洁和涂上薄层 SiO2 和 Si3N4 来准备硅片。然而，当层通过大量重复逐层堆叠时，该过程需要小心执行。
SK 海力士已经实现了 321 层 NAND，并于 2023 年 8 月进行了展示，并计划于 2025 年上半年开始量产。这款产品拥有 400 层，将成为该公司首款也是最先进的 NAND 产品。尽管如此，SK 海力士并不是这场游戏中唯一的玩家。三星和美光等内存巨头也在增加其 NAND 芯片的层数。美光最近推出了一款具有 276 层的密集 NAND，而三星已开始量产具有 290 层的三级单元第 9 代垂直 NAND。
在FMS 2024上，SK 海力士 将展示下一代AI存储器产品样品，例如预计于第三季度量产的12层HBM3E和计划于明年上半年开始出货的321高NAND。
三星仍将目标设得更高，并期待到2030 年生产超过 1000 层的 NAND。话虽如此，日本公司 Kioxia 目前的 3D NAND 层数已达到 218 层，并计划先于三星实现 1000 层。
SK Hynix 实现 400 层的方法是通过外围设备下置单元方法将单元堆叠在外围设备之上。控制存储单元的外围电路位于底部，而存储单元则堆叠在顶部。这种方法确实存在损坏外围电路的问题，因为增加层数会产生更多热量和压力。
因此，该公司计划实施混合键合方法，即在单独的晶圆上制造存储单元和外围电路。然后将晶圆键合在一起以降低损坏风险。通过高层数，NAND 芯片可以在不增加尺寸的情况下存储更多数据。这不仅可以为紧凑型系统节省空间并增加存储容量，还可以带来更实惠的存储解决方案。
据业内人士30日透露，SK海力士开始研发400级NAND闪存。一位知情的行业官员表示，“SK海力士正在与中小型合作伙伴一起开发400层以上NAND的工艺技术和设备”，并补充道，“目标是拥有技术和基础设施达到明年年底实现大规模生产的水平。”
NAND闪存是一种可以存储数据的存储半导体。当存储空间单元（cell）多层堆叠时，NAND的存储容量会增加。400层产能远超目前NAND最高水平321层，这也是SK海力士下一代NAND量产计划首次确定。
据了解，SK 海力士正计划使用“混合键合”来实现 400 层的 NAND。具体来说，我们计划应用“晶圆到晶圆（W2W）”技术，该技术在混合键合过程中将晶圆固定到晶圆上。
到目前为止，SK 海力士已在单个晶圆上实现了“单元”（存储 NAND 闪存数据的区域）和“外围设备”（驱动它的电路区域）。
在渡轮顶部堆叠电池的形式称为“Perry Under Cell (PUC)”。就像住宅商业综合体一样，它的下面有一个deck（商业建筑），上面有cell（住宅空间）。
三星电子也实现了具有类似结构的 NAND（Cell On Perry：COP）。根据cell是一次堆叠还是两次堆叠，它们被分为“单堆叠”和“双堆叠”。
然而，随着 NAND 单元数量的增加，将deck放置在cell下方面临着限制。这是因为deck在cell堆放过程中被损坏。这是因为它无法承受cell过程中产生的高温和高压。
克服这一问题的技术是混合键合。这是一种通过在不同晶圆上实现cell和deck，然后重新连接两个晶圆来生产超高端 NAND 的方法。在这种情况下，call可以堆叠超过400层，并且可以单独制造驱动单元的渡轮晶圆，从而稳定地增加NAND层数。据称，由于这些优势，SK海力士决定引入W2W方法来制造400层或更多层的NAND。
SK海力士引入混合键合预计将为NAND制造工艺带来重大变化。半导体封装行业相关人士表示，“由于混合键合本身就是先进封装领域，因此很多封装封装企业将进入SK海力士NAND供应链。”
事实上，SK海力士被发现正在对其供应链进行改变。从用于混合键合的键合材料到用于连接不同晶圆的新抛光、蚀刻、沉积和布线技术，我们正在寻求引入用于测量和检查的新材料和设备。由于目标是在明年底前确保量产技术，预计2026年上半年实现全面量产。
全球最大的NAND闪存生产商三星电子也在开发400级NAND，因此商业化的激烈竞争预计将加剧。据了解，三星电子也正在考虑将混合键合应用于下一代 NAND。
https://wccftech.com/sk-hynix-400-layer-nand-late-2025-321-layer-nand-1h-2025/
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